目的探讨650nm半导体激光照射豚鼠视网膜后的细胞损伤情况。方法根据650nm半导体激光照射功率(2、3、4、5mW)将40只豚鼠分为4组,各组按照射次数(1、2次/d)分两个亚组,另取5只作为正常对照组。用TUNEL检测豚鼠视网膜细胞凋亡,用免疫组织化学法和医学图像分析法检测Fas蛋白的平均光密度值(AOD),用透射电镜观察视网膜细胞的形态学变化。结果不同照射功率组凋亡指数(AI)差异有统计学意义(P(0.05),其中2、3mW处理组与对照组AI无统计学差异(P)0.05),不同照射次数对AI影响无统计学意义(P)0.05);不同照射功率组间FasAOD有统计学差异(P(0.05),其中2mW处理组和对照组间FasAOD无统计学差异(P)0.05),不同照射次数对FasAOD无统计学差异(P)0.05);透射电镜观察,2mW处理组及对照组未见明显损伤反应;3mW处理组视网膜少许细胞变性,而在4mW和5mW处理组细胞变性明显增加。结论照射功率在3mW以上的豚鼠视网膜存在细胞凋亡,Fas蛋白的表达也存在异常,说明3mW以上的650nm半导体激光照射豚鼠视网膜存在损伤反应。