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755nm半导体激光在耳再造术期间脱毛效果观察

Efficacy of 755 nm semiconductor laser during the auricular reconstruction for hair removal

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资源类型:

收录情况: ◇ 统计源期刊 ◇ 北大核心 ◇ CSCD-C ◇ 中华系列

单位: [1]华中科技大学同济医学院附属同济医院整形外科,武汉,430030
出处:
ISSN:

关键词: 半导体激光器 耳廓再造术 脱毛术

摘要:
目的 比较755 nm半导体激光在耳廓再造术不同时期脱毛的临床有效性及患者满意度.方法 2016年7月至2018年9月,应用755 nm半导体激光对86例在华中科技大学同济医学院附属同济医院整形外科行耳廓再造术的患者进行脱毛,男39例,女47例,年龄6~ 28岁,平均12岁,左耳28例,右耳58例.简单随机分组,40例于一期耳后皮肤扩张器置入术后行耳廓脱毛(一期术后脱毛组),46例于二期耳廓重建术后脱毛(二期术后脱毛组).分别于不同干预时间下行耳廓脱毛治疗,脉宽10~20 ms,波长755 nm,光斑直径10 mm×15 mm,能量密度4~8 J/cm2.每次脱毛时间均为5~10 min,以局部皮肤毛乳头出现轻微发红或水肿为治疗终点.每隔4周左右做1次激光脱毛治疗,共5次.计数不良反应例数,比较治疗前及第5次脱毛后6个月的毛发生长密度、毛发清除率及患者满意度.结果 2组患者均顺利完成治疗,随访至最后一次脱毛治疗后6个月左右(23 ~ 25周),仅二期术后脱毛组有2例备皮时划伤,2例出现水泡,其余患者均无不良反应发生.一期术后脱毛组治疗后毛发密度为(27.63±7.75)根/cm2,少于治疗前的(84.55±13.68)根/cm2;二期术后脱毛组治疗后毛发密度为(40.52±5.92)根/cm2,少于治疗前的(74.78±11.19)根/cm2,差异均具有统计学意义(P值均<0.001).激光脱毛后,一期术后脱毛组毛发密度低于二期术后脱毛组,差异具有统计学意义(P<0.001).一期术后脱毛组毛发清除率为67.32%,高于二期术后脱毛组的45.81%,差异具有统计学意义(P<0.001).一期术后脱毛组患者满意度为87.5% (35/40),二期术后脱毛组为69.5%(32/46),前者高于后者.结论 一期扩张器置人术后开始行755 nm半导体激光耳廓脱毛的临床疗效更好,患者满意度更高.

语种:
第一作者:
第一作者单位: [1]华中科技大学同济医学院附属同济医院整形外科,武汉,430030
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